7月22—24日,由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會(以下簡稱“專委會”)主辦,北京大學、西交利物浦大學、中國科學院微電子研究所、廣東省科學院半導體研究所聯合承辦的GaN基電子材料與器件專題研討會在新疆伊犁舉行。
本次會議分為報告和研討兩個環節。15位專家圍繞GaN功率電子器件和GaN射頻電子器件,從材料、器件、電路、應用、裝備等幾個方面作專題報告,并重點就當前所面臨的問題和挑戰以及相應解決方案的思考進行分享。專委會副主任委員、香港科技大學教授陳敬作《氮化鎵異質結器件的橫縱拓展》報告,專委會委員、珠海鎵未來公司CEO吳毅鋒作《AI時代功率器件的重組》報告,電子科技大學教授羅小蓉作《硅基功率半導體發展歷程給Power GaN的啟示》報告,東南大學教授孫偉峰作《GaN功率器件技術研究進展》報告,專委會委員、華為數字能源黃伯寧作《AI智算中心對供電的挑戰》報告,深圳市匯川技術公司總工程師柏子平作《GaN功率器件在電機驅動領域的應用探討》報告,湖南三安半導體公司高級工程師劉成作《工業及汽車應用下GaN功率器件發展趨勢與技術挑戰》報告,航天五院529所總工程師萬成安作《宇航用高電壓GaN基功率電子器件相關技術探討》報告,專委會副主任委員、中電科55所研究員陳堂勝作《GaN微波功率器件技術發展》報告,西安電子科技大學教授馬曉華作《面向終端應用的硅基氮化鎵射頻功率器件研究進展》報告,中興通訊股份有限公司無線技術總工劉建利作《氮化鎵射頻器件在移動通信領域的應用》報告,專委會委員、中國科學院蘇州納米技術與仿生研究所研究員孫錢作《硅基氮化鎵電子材料生長研究進展》報告,蘇州納維科技有限公司總經理王建峰作《應用于同質外延電力電子器件GaN單晶襯底制備技術》報告,北方華創科技集團股份有限公司總監楊牧龍作《寬禁帶材料外延裝備技術及產業協同》報告,中微半導體設備有限公司副總裁郭世平作《用于氮化鎵功率器件的MOCVD裝備發展現狀及展望》報告。
研討會環節,參會專家重點圍繞“氮化物半導體功率器件實現1200V及以上和48V及以下應用還有哪些關鍵問題需要解決”“GaN 基射頻器件實現終端應用(如手機)還有哪些關鍵科學技術問題需要解決”“對國家相關科技計劃支持氮化物半導體電子材料和器件的具體建議”三個議題進行討論。
此次會議得到了北京大學人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、北京大學納光電子前沿科學中心、北京大學寬禁帶半導體研究中心、中國科學院微電子研究所、粵科光智(廣州)科技有限公司、蘇州納維科技有限公司、北方華創科技集團股份有限公司、上海中微半導體設備有限公司、蘇州晶湛半導體有限公司、蘇州立琻半導體有限公司、北京中博芯半導體科技有限公司等協辦單位的大力支持。
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